美
美国圣何塞光刻技术展
Advanced Lithography Conference and Expo
展出日期：2027-02-21 — 2027-02-25
举办周期：—
主办方：
举办地点：美国, 加利福尼亚, 圣何塞
展馆：
官网：
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展会简介：
国际先进光刻与图形化研讨会暨博览会（SPIE Advanced Lithography + Patterning Conference & Expo） 是全球半导体制造、光刻技术（Lithography）与微纳图形化领域规模最大、学术与工业界影响力最高的顶级技术峰会与专业博览会。
该展会由国际光学和光电学会（SPIE）创办于 1976 年，已被公认为半导体前道制造“摩尔定律”与光刻前沿技术的风向标。
展品范围
SPIE Advanced Lithography 贯穿了半导体芯片制造中从电路设计、光刻机台、光罩（Mask）、光刻胶材料到检测量测的全链条技术：
光学与 EUV 纳米光刻（Optical and EUV Nanolithography）：
极紫外光刻（EUV）、High-NA EUV（高数值孔径 EUV）、Hyper-NA EUV、浸润式光刻（Immersion Lithography）及光源/镜头光学系统突破。
计算光刻与 DTCO（DTCO & Computational Patterning）：
光源掩模优化（SMO）、光学邻近效应修正（OPC）、AI/深度学习在计算光刻中的应用、协同设计优化（DTCO/STCO）。
计量、检测与过程控制（Metrology, Inspection, and Process Control）：
纳米级套刻误差（Overlay）测量、套准控制、边缘位置误差（EPE）、CD-SEM 关键尺寸测量与缺陷检测。
新型图形化技术（Novel Patterning Technologies）：
纳米压印（NIL）、导向自组装（DSA）、3D 异构集成与先进封装（Advanced Packaging）光刻。
图形化材料与工艺进展（Advances in Patterning Materials and Processes）：
EUV 光刻胶（CAR/MOR 金属氧化物光刻胶）、底涂材料（BARC/SOC）、去光刻胶化学品及绿色可持续化学。
先进刻蚀技术与集成（Advanced Etch Technology & Integration）：
原子层刻蚀（ALE）、选择性刻蚀、高长宽比（HAR）刻蚀及图形转移集成工艺。